MOSFET半导体场效应晶体管MOS管-九联科技专利:创新spiflash多备份法保障数据与产品寿命
你的位置:MOSFET半导体场效应晶体管MOS管 > 芯片产品 > 九联科技专利:创新spiflash多备份法保障数据与产品寿命
九联科技专利:创新spiflash多备份法保障数据与产品寿命
发布日期:2024-02-12 10:35     点击次数:88

广东九联科技有限公司近日获得国家知识产权局授权的一项名为“spiflash多备份方法”的专利,授权公告号为2019年5月的CN110287059B。

该专利摘要显示,该发明涉及数据存储技术,特别是spi flash多备份方法。该方法包括以下步骤:

将spi flash分为n个数据主分区和n个数据备份分区,n是大于等于2的整数。 为数据主分区和数据备份分区设置双分区有序轮询备份机制。 spi flash按照双分区有序轮询备份机制备份数据。

本发明提供的spispi flash多备份方法,spi flash分为2n块数据分区,其中n块为主分区,MOSFET,半导体场,效应晶体管,MOS管n块为备份分区。并设计了两种模式——开启备份机制,关闭备份机制,实现双分区有序轮询,有序使用备份机制。在主分区寿命结束时,也可以合理利用分区,使用flash保护用户数据,延长产品寿命。