欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:MOSFET半导体场效应晶体管MOS管 > 芯片资讯 > 佰维推出国产CXL 2
佰维推出国产CXL 2
发布日期:2024-02-12 09:02     点击次数:203

随着人工智能应用程序的爆炸性增长,计算系统的性能受到“内存墙”的严重限制。在PCIE接口的基础上,CXL技术通过其内存扩展功能为服务器提供额外的内存容量和带宽,支持内存池化和共享,满足高性能CPU/GPU的计算能力需求。

近日,国内百维存储宣布成功研发支持CXL 2.0CXL标准化 DRAM内存扩展模块。这款CXL 2.0 EDSFF用于DRAM(E3).S)外观规格,最大内存容量可达96GB,支持PCIee 5.0×8接口理论带宽可达32GB/s。支持CXL规范和E3.S接口背板与服务器主板直接连接,有效扩大服务器内存容量和带宽。

在性能方面,百维CXL 2.0 在实际测试中,MOSFET,半导体场,效应晶体管,MOS管DRAM表现良好。当它挂载在node时 2节点时,与node挂载 CPU0节点的访问延迟为247.1ns,带宽超过21GB/s。

▲ Latency 测试

此外,百维表示,他们将为客户提供32GB~96GB CXL 2.0 联合评估和测试DRAM功能样机。没有E3.百维还为S接口的服务器背板提供CXL AIC转接卡。

综上所述,百维存储的成功研发对克服“内存墙”问题,提高计算系统性能具有重要意义。通过CXL 2.0 在DRAM和相应的解决方案中,百维正在引领内存技术的新篇章,以满足不断增长的人工智能和其他高性能应用的计算能力需求。